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专注细节，铸造品牌
低膨胀、长循环 气相硅碳负极
原料优选技术Raw Material Selection
优选高致密前驱体材料作为气相硅负极材料碳骨架，通过分子结构设计优化骨架强度，使材料膨胀进一步降低。
原料热处理改性技术Raw-materials Thermal-treatmentTechnology
对树脂前驱体进行独特的热处理改性，降低成型、预碳化阶段材料的原生缺陷，进一步提升骨架强度。
多孔结构调控技术Porous Structure Regulation Technology
通过基体与活化剂的精确设计反应，对材料结构实施定向造孔与优化，对硅沉积提供高效沉积通道与填充空隙。
| 产品型号 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ100-3F | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 1900±100 | 91.5±0.5 |
高能量密度 气相硅碳负极
原料优化精选Raw Material Selection
优选高致密前驱体材料，制备少缺陷，高孔容，低成本的多孔炭骨架材料，进一步提升气相硅碳产品性价比。
多孔结构调控技术Porous Structure Regulation Technology
通过基体与活化剂的精确设计反应，对材料结构实施定向造孔与优化，对硅沉积提供高效沉积通道与填充空隙。
颗粒流化态沉积技术Granular-fluidized Deposition Technology
通过设计流场大小，使骨架颗粒在设备的恒定温场内以流体的形态在反应气氛围下进行均匀沉积，来获得稳定均一的硅碳材料。
| 产品型号 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ200-1A | 7.5±2.0 | ≤3 | 2050±100 | 92.5±0.5 |
| KQ100-5 | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 2300±100 | 94.5±0.5 |
高功率气相硅碳负极
原料优选技术Raw Material Selection
优选高各向同性、高电导率前驱体，提升材料动力学，降低材料本征膨胀。
颗粒重整技术Particle Reforming Technology
通过先进粉体设备和制程工艺，对颗粒进行精确加工，获得尺寸、形貌高度一致的颗粒前驱体。
多孔结构调控技术Porous Structure Regulation Technology
通过基体与活化剂的精确设计反应，对材料结构实施定向造孔与优化，对硅沉积提供高效沉积通道与填充空隙。
| 产品型号 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ300-1 | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 1900±100 | 91.5±0.5 |